3Nm tegnologie onthul! Samsung deel die nuutste 3GAE-prosesbesonderhede

By die onlangse IEEE International Solid State Circuits konferensie het Samsung 'n paar besonderhede van sy eie 3NM Gae MBCFet Chip Manufacturing gedeel.

Volgens die jongste verslag wat deur die digitimes vrygestel is, sal TSMC se 3NM-proses in die tweede helfte van die jaar proefproduksie begin. In die afgelope jaar het die kompetisie tussen Samsung en TSMC in gevorderde tegnologieprosesse al hoe meer vurig geword. Alhoewel Samsung agter TSMC gelê het, is dit voortdurend inhaal.

Daar word berig dat TSMC in terme van 3NM-proses steeds op die gebruik van FinFet-tegnologie, maar Samsung het gekies om na Nanochip-transistors te oorkom.

Volgens Taejoong Song, vise-president van Samsung Electronics by die vergadering, sal die nano-chip-gestruktureerde transistor 'n suksesvolle ontwerp wees omdat hierdie tegnologie "hoë spoed, lae kragverbruik en klein area kan bied."

Trouens, in 2019 het Samsung eers die 3Nm-proses aangekondig en dit duidelik gemaak dat dit Finfet sal laat vaar. Samsung verdeel sy 3Nm-proses in 3GAE en 3GAP. By die vergadering het Samsung gesê dat die 3GAE-prosesnode tot 30% prestasieverbetering sal bereik, terwyl die kragverbruik met 50% verminder kan word, en transistordigtheid kan ook met 80% verhoog word.

Omdat dit agter die TSMC teen die 7Nm- en 5NM-prosesnodes lê, het Samsung hoë verwagtinge vir die 3Nm-proses en hoop om Nanochip-transistors te gebruik om TSMC in te haal.

Daar word berig dat Samsung se 3GAE-proses in 2022 amptelik van stapel gestuur sal word, en die baie besonderhede wat by die vergadering vertoon word, dui ook daarop dat Samsung nog 'n stap vorentoe in die 3Nm-proses geneem het.

Te oordeel aan die tydsberekening van die bekendstelling van Samsung se 3GAE-proses, sal Samsung en TSMC ongetwyfeld 'n meer intense mededinging vir gevorderde 3NM-prosesse in 2022 hê.